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Terminação flangeada
Terminais flangeados são instalados nas extremidades de um circuito, absorvendo os sinais transmitidos e prevenindo reflexões, o que afeta a qualidade da transmissão do sistema. O terminal flangeado é montado soldando-se um resistor de terminal único com flanges e terminais de solda. O tamanho do flange é geralmente definido com base na combinação dos furos de instalação e das dimensões da resistência do terminal. Também é possível personalizar o terminal de acordo com as necessidades específicas do cliente.
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Atenuador de RF com terminais RFTXXN-100AJ8957-3 DC~3,0GHz
Modelo RFTXXN-100AJ8957-3 (XX = Valor de atenuação) Impedância 50 Ω Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,20 máx. Potência nominal 100 W Valor de atenuação 13, 20, 30dB Tolerância de atenuação ±1,0dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato AlN Material da cabeça de porcelana Fio médio Prata esterlina 99,99% Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Desenho esquemático (Unidade: mm/polegada) O comprimento do fio pode ser personalizado de acordo com... -
Atenuador de microfita
O atenuador de microfita é um dispositivo que desempenha um papel na atenuação de sinais na faixa de frequência de micro-ondas. Sua configuração como atenuador fixo é amplamente utilizada em áreas como comunicação por micro-ondas, sistemas de radar, comunicação via satélite, etc., proporcionando uma função de atenuação de sinal controlável para circuitos. Os chips de atenuador de microfita, diferentemente dos chips de atenuação de patch comumente utilizados, precisam ser montados em uma estrutura de tamanho específico utilizando conexão coaxial para realizar a atenuação do sinal da entrada à saída.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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Atenuador de RF com terminais RFT20N-60AM6363-6 DC~6,0GHz
Modelo RFT20N-60AM6363-6 (XX = Valor de atenuação) Impedância 50 Ω Faixa de frequência DC~6,0GHz VSWR 1,25 máx. Potência nominal 60 W Valor de atenuação 20dB Tolerância de atenuação ±0,8 dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato AlN Material da camada de porcelana Al2O3 Terminais Prata esterlina 99,99% Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Desenho esquemático (Unidade: mm/polegada) O comprimento dos terminais pode ser personalizado de acordo com a necessidade do cliente. -
Atenuador de RF com terminais RFTXX-60AM6363B-3 DC~3,0GHz
Modelo RFTXX-60AM6363B-3 (XX = Valor de atenuação) Impedância 50 Ω Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,25 máx. Potência nominal 60 W Valor de atenuação 0,1-10dB/16dB/20dB Tolerância de atenuação ±0,6dB/±0,8dB/±1,0dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato Porcelana BeO Material da tampa Al2O3 Terminais Prata esterlina 99,99% Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Desenho esquemático (Unidade: mm/polegada) O comprimento dos terminais pode ser ajustado... -
Atenuador de RF com terminais RFTXXA-05AM0404-3 DC~3,0GHz
Modelo RFTXXA-05AM0404-3 (XX = Valor de atenuação) Impedância 50 Ω Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,20 máx. Potência nominal 5 W Valor de atenuação (dB) 01-10/15, 17, 20/25, 30 Tolerância de atenuação (dB) ±0,6/±0,8/±1,0 Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Material do substrato Al2O3 Material da tampa de porcelana Al2O3 Terminais Prata esterlina 99,99% Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150 °C (Consulte a redução de potência) Desenho esquemático (Unidade: mm/polegada) Comprimento dos terminais ... -
Circulador de microfita
O circulador de microfita é um dispositivo de radiofrequência (RF) de uso comum para transmissão e isolamento de sinais em circuitos. Ele utiliza tecnologia de filme fino para criar um circuito sobre um núcleo de ferrite magnético rotativo, aplicando um campo magnético para atingir esse objetivo. A instalação de dispositivos anulares de microfita geralmente adota o método de soldagem manual ou ligação de fios de ouro com tiras de cobre. A estrutura dos circuladores de microfita é muito simples, comparada à dos circuladores coaxiais e embutidos. A diferença mais notável é a ausência de cavidade, e o condutor do circulador de microfita é fabricado por meio de um processo de deposição de filme fino (sputtering a vácuo) para criar o padrão projetado no núcleo de ferrite rotativo. Após a eletrodeposição, o condutor produzido é fixado ao substrato de ferrite rotativo. Uma camada de material isolante é depositada sobre o padrão e um campo magnético é aplicado sobre esse material. Com essa estrutura simples, um circulador de microfita é fabricado.
Faixa de frequência de 2,7 a 40 GHz.
Aplicações militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserção, alto isolamento, alta capacidade de potência.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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Circulador de banda larga
O circulador de banda larga é um componente importante em sistemas de comunicação de radiofrequência (RF), oferecendo uma série de vantagens que o tornam muito adequado para diversas aplicações. Esses circuladores proporcionam cobertura de banda larga, garantindo desempenho eficaz em uma ampla faixa de frequências. Com sua capacidade de isolar sinais, eles podem evitar interferências de sinais fora da banda e manter a integridade dos sinais dentro da banda. Uma das principais vantagens dos circuladores de banda larga é seu excelente desempenho de isolamento. Ao mesmo tempo, esses dispositivos em formato de anel possuem boas características de onda estacionária na porta, reduzindo os sinais refletidos e mantendo a transmissão estável do sinal.
Faixa de frequência de 56 MHz a 40 GHz, largura de banda de até 13,5 GHz.
Aplicações militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserção, alto isolamento, alta capacidade de potência.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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Atenuador de chip RFTXX-60CA6363B-3 DC~3.0GHz Atenuador de RF
Modelo RFTXX-60CA6363B-3 (XX = Valor de atenuação) Faixa de resistência 50 Ω Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,25 Potência máxima 60 W Valor de atenuação (dB) 1-10dB/11-20dB/21-30dB Tolerância de atenuação (dB) ±0,6dB/±0,8dB/±1,0dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato BeO Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Método de instalação Redução de potência Tempo e temperatura de soldagem por refluxo Designação P/N ... -
Atenuador de chip RFTXXN-20CA5025C-3 DC~3.0GHz Atenuador de RF
Modelo RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = Valor de atenuação) Faixa de resistência 50 Ω Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,25 Potência máxima 20 W Valor de atenuação (dB) 1-10dB/11-20dB/21-30dB Tolerância de atenuação (dB) ±0,6dB/±0,8dB/±1,0dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato AlN Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Desempenho típico: Gráfico de 2dB Gráfico de 20dB Gráfico de 6dB Gráfico de 30dB Método de instalação... -
Atenuador de chip RFTXXN-10CA5025C-6 DC~6,0GHz
Modelo RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = Valor de atenuação) Faixa de resistência 50 Ω Faixa de frequência DC~6,0GHz VSWR 1,25 Potência máxima 10 W Valor de atenuação (dB) 1-10dB/11-20dB Tolerância de atenuação (dB) ±0,6dB/±0,8dB Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Material do substrato AlN Tecnologia de resistência Filme espesso Temperatura de operação -55 a +150°C (Consulte a redução de potência) Desempenho típico: Gráfico de 6dB Gráfico de 20dB Método de instalação Redução de potência Tempo de soldagem por refluxo e ... -
Resistor RF com terminais RFTXXX-250RM1313K
Modelo RFTXX-250RM1313K Potência 250 W Resistência XX Ω~ (10-1000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Capacitância 2,0 pF@100Ω Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Cobertura AL2O3 Terminais Cobre com revestimento de prata Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Procedimentos de montagem sugeridos Redução de Potência Perfil de Refluxo Designação P/N Atenção de uso ■ Após o período de armazenamento de componentes recém-adquiridos exceder 6 meses...
