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  • Resistor de chip RFTXX-30CR6363C

    Resistor de chip RFTXX-30CR6363C

    Modelo RFTXX-30CR6363C Potência 30W Resistência XX Ω (10~3000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Procedimentos de Montagem Sugeridos Redução de Potência Perfil de Refluxo Designação P/N Atenção ao Uso ■ Após o período de armazenamento de peças recém-adquiridas exceder 6 meses, deve-se verificar a soldabilidade antes do uso. Recomenda-se...
  • Resistor de chip RFTXX-30CR2550W

    Resistor de chip RFTXX-30CR2550W

    Modelo RFTXX-30CR2550W Potência 30 W Resistência XX Ω (10~3000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Procedimentos de Montagem Sugeridos Redução de Potência Perfil de Refluxo Designação P/N Atenção ao Uso ■ Após o período de armazenamento de peças recém-adquiridas exceder 6 meses, deve-se verificar a soldabilidade antes do uso. Recomenda-se...
  • Resistor de chip RFTXX-30CR2550TA

    Resistor de chip RFTXX-30CR2550TA

    Modelo RFTXX-30CR2550TA Potência 30W Resistência XX Ω (10~3000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Procedimentos de Montagem Sugeridos Redução de Potência Perfil de Refluxo Designação P/N Atenção ao Uso ■ Após o período de armazenamento de peças recém-adquiridas exceder 6 meses, deve-se verificar a soldabilidade antes do uso. Recomenda-se...
  • Resistor de RF com flange RFTXXX-30RM2006

    Resistor de RF com flange RFTXXX-30RM2006

    Modelo RFTXX-30RM2006 Potência 30 W Resistência XX Ω (10~2000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Capacitância 2,6 pF@100Ω Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Cobertura AL2O3 Flange de Montagem Latão Terminais Prata pura 99,99% Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Desenho Esquemático (Unidade: mm) O comprimento do fio condutor pode atender aos requisitos do cliente Tolerância de Tamanho: 5%, salvo indicação em contrário Sugestão...
  • Resistor RF RFTXXX-30RM1306

    Resistor RF RFTXXX-30RM1306

    Modelo RFTXX-30RM1306 Potência 30 W Resistência XX Ω (10~2000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Capacitância 2,6 pF@100Ω Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Cobertura AL2O3 Flange de Montagem Latão Terminais Prata pura 99,99% Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Desenho Esquemático (Unidade: mm) O comprimento do fio condutor pode atender aos requisitos do cliente Tolerância de Tamanho: 5%, salvo indicação em contrário Sugestão...
  • Isolador de Junção Dupla

    Isolador de Junção Dupla

    Um isolador de dupla junção é um dispositivo passivo comumente usado em faixas de frequência de micro-ondas e ondas milimétricas para isolar sinais reversos da extremidade da antena. Ele é composto pela estrutura de dois isoladores. Sua perda de inserção e isolamento são tipicamente o dobro de um isolador simples. Se o isolamento de um isolador simples é de 20 dB, o isolamento de um isolador de dupla junção pode chegar a 40 dB. A ROE (Relação de Ondas Estacionárias) da porta não se altera significativamente. No sistema, quando o sinal de radiofrequência é transmitido da porta de entrada para a primeira junção em anel, como uma das extremidades da primeira junção em anel está equipada com um resistor de radiofrequência, seu sinal só pode ser transmitido para a extremidade de entrada da segunda junção em anel. A segunda junção em anel é igual à primeira, com resistores de RF instalados; o sinal será transmitido para a porta de saída, e seu isolamento será a soma dos isolamentos das duas junções em anel. O sinal reverso que retorna da porta de saída será absorvido pelo resistor de RF na segunda junção em anel. Dessa forma, obtém-se um alto grau de isolamento entre as portas de entrada e saída, reduzindo efetivamente as reflexões e interferências no sistema.

    Faixa de frequência de 10 MHz a 40 GHz, potência de até 500 W.

    Aplicações militares, espaciais e comerciais.

    Baixa perda de inserção, alto isolamento, alta capacidade de potência.

    Design personalizado disponível mediante solicitação.

     

  • Isolador SMT/SMD

    Isolador SMT/SMD

    O isolador SMD é um dispositivo de isolamento usado para encapsulamento e instalação em uma placa de circuito impresso (PCB). Eles são amplamente utilizados em sistemas de comunicação, equipamentos de micro-ondas, equipamentos de rádio e outras áreas. Os isoladores SMD são pequenos, leves e fáceis de instalar, o que os torna adequados para aplicações de circuitos integrados de alta densidade. A seguir, apresentaremos uma introdução detalhada às características e aplicações dos isoladores SMD. Primeiramente, os isoladores SMD possuem uma ampla faixa de cobertura de frequência. Eles normalmente cobrem uma ampla faixa de frequência, como de 400 MHz a 18 GHz, para atender aos requisitos de frequência de diferentes aplicações. Essa ampla capacidade de cobertura de frequência permite que os isoladores SMD tenham um excelente desempenho em diversos cenários de aplicação.

    Faixa de frequência de 200 MHz a 15 GHz.

    Aplicações militares, espaciais e comerciais.

    Baixa perda de inserção, alto isolamento, alta capacidade de potência.

    Design personalizado disponível mediante solicitação.

  • Resistor RF RFTXXX-20RM0904

    Resistor RF RFTXXX-20RM0904

    Modelo RFTXX-20RM0904 Potência 20 W Resistência XX Ω (10~3000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Capacitância 1,2 pF a 100Ω Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Cobertura AL2O3 Flange de Montagem Latão Terminais Prata pura 99,99% Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Desenho Esquemático (Unidade: mm) O comprimento do fio condutor pode atender aos requisitos do cliente Tolerância de Tamanho: 5%, salvo indicação em contrário Sugestão...
  • Isolador de microfita

    Isolador de microfita

    Isoladores de microfita são dispositivos de RF e micro-ondas comumente usados ​​para transmissão e isolamento de sinais em circuitos. Eles utilizam tecnologia de filme fino para criar um circuito sobre um núcleo de ferrite magnético rotativo, aplicando um campo magnético para obter o isolamento. A instalação de isoladores de microfita geralmente adota o método de soldagem manual de tiras de cobre ou ligação de fios de ouro. A estrutura dos isoladores de microfita é muito simples, comparada à de isoladores coaxiais e embutidos. A diferença mais notável é a ausência de cavidade; o condutor do isolador de microfita é fabricado por meio de um processo de deposição de filme fino (sputtering a vácuo) para criar o padrão desejado no núcleo de ferrite rotativo. Após a eletrodeposição, o condutor produzido é fixado ao substrato de ferrite rotativo. Uma camada de material isolante é depositada sobre o padrão e um campo magnético é aplicado sobre esse material. Com essa estrutura simples, um isolador de microfita é fabricado.

    Faixa de frequência de 2,7 a 43 GHz

    Aplicações militares, espaciais e comerciais.

    Baixa perda de inserção, alto isolamento, alta capacidade de potência.

    Design personalizado disponível mediante solicitação.

  • Terminação de baixa intermodulação CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0 GHz

    Terminação de baixa intermodulação CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0 GHz

    Modelo CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Faixa de frequência DC~3,0GHz VSWR 1,20 PIM3 máx. ≥120dBc@2*33dBm Potência 50W Impedância 50 Ω Tipo de conector DIN-M (J) Grau de impermeabilidade IP65 Dimensões 60×60×80mm Temperatura de operação -55 ~ +125°C (Consulte a redução de potência) Cor Preto Peso Aproximadamente 410 g Atenção: Consulte a redução de potência Designação P/N
  • Resistor RFTXX-20RM1304

    Resistor RFTXX-20RM1304

    Modelo RFTXX-20RM1304 Potência 20 W Resistência XX Ω (10~3000Ω Personalizável) Tolerância de Resistência ±5% Capacitância 1,2 pF@100Ω Coeficiente de Temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Cobertura AL2O3 Flange de Montagem Latão Terminais Prata pura 99,99% Elemento Resistivo Filme Espesso Temperatura de Operação -55 a +150°C (Consulte a Redução de Potência) Desenho Esquemático (Unidade: mm) O comprimento do fio condutor pode atender aos requisitos do cliente Tolerância de Tamanho: 5%, salvo indicação em contrário Sugestão...
  • Circulador de encaixe WH3234A/WH3234B de 2,0 a 4,2 GHz