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RFTXX-30CR2550W Resistor de RF de chips
Modelo RFTXX-30CR2550W POWER 30 W Resistência xx ω (10 ~ 3000Ω Personalizável) Tolerância à resistência ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BEO elemento resistivo de filme espesso de temperatura de operação de filme-55 a +150 ° C (consulte De-rating de powerting) Apresentação de consultas Power-rating Power Routing Power Power Perfill Perfill. 6 meses, deve -se prestar atenção à soldabilidade antes do uso. É recomendado ... -
RFTXX-30CR2550TA Resistor de RF de chip
Modelo RFTXX-30CR2550TA Resistência de 30W de 30W xx ω (10 ~ 3000Ω Personalizável) Tolerância à resistência ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BEO elemento resistivo de filme espesso de temperatura de operação de filme-55 a +150 ° C (consulte De-rating) Apresentação de powerting de uso de powerting storma-rating power-rating perfil como +150 ° C (consulte a detratamento de energia) Apresentação de prolongamento Power de rating Power de rating Power Power Power Power Perfill Perfill. 6 meses, deve -se prestar atenção à soldabilidade antes do uso. É recomendado ... -
RFTXX-30RM2006 Resistor Flangeado Resistor RF
Modelo RFTXX-30RM2006 POWER 30 W Resistência xx ω (10 ~ 2000ω personalizável) Tolerância à resistência ± 5% Capacitância 2,6 pf@100Ω Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato de substrato BEO Tampa de temperatura AL2O3 FLANGE DE BASSATA DE POTEMENTO DE POTEMA DE POTEMENTO DE FILMA DE PULHERAÇÃO DE PULHERAÇÃO DE PERTURAÇÃO DE PERTURAÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIMENTO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE PULHERAÇÃO DE SERVIÇÃO DE SERVIÇÃO DE PULHERATE-5 (Unidade: mm) O comprimento do fio de chumbo pode atender à tolerância ao tamanho dos requisitos do cliente: 5%, a menos que sugestão de outra forma ... -
RFTXX-30RM1306 Resistor de RF
Model RFTXX-30RM1306 Power 30 W Resistance XX Ω (10~2000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 2.6 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Mounting Flange Brass Lead 99.99% pure silver Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Outline Drawing (Unidade: mm) O comprimento do fio de chumbo pode atender à tolerância ao tamanho dos requisitos do cliente: 5%, a menos que sugestão de outra forma ... -
Isolador de junção dupla
Um isolador de junção dupla é um dispositivo passivo comumente usado em bandas de frequência de microondas e ondas milimétricas para isolar sinais reversos da extremidade da antena. É composto pela estrutura de dois isoladores. Sua perda de inserção e isolamento são tipicamente duas vezes que um isolador único. Se o isolamento de um único isolador for de 20dB, o isolamento de um isolador de junção dupla poderá geralmente ser de 40dB. A porta VSWR não muda muito. No sistema, quando o sinal de radiofrequência é transmitido da porta de entrada para a primeira junção do anel, porque uma extremidade da primeira junção do anel está equipada com um resistor de radiofrequência, seu sinal só pode ser transmitido para a extremidade de entrada da segunda junção do anel. A junção do segundo loop é a mesma que a primeira, com os resistores de RF instalados, o sinal será passado para a porta de saída e seu isolamento será a soma do isolamento das duas junções de loop. O sinal reverso que retorna da porta de saída será absorvido pelo resistor de RF na segunda junção do anel. Dessa maneira, é alcançado um grande grau de isolamento entre as portas de entrada e saída, reduzindo efetivamente as reflexões e a interferência no sistema.
Faixa de frequência de 10MHz a 40GHz, até 500W Power.
Aplicações militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserção, alto isolamento, manuseio de alta potência.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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Isolador SMT / SMD
O Isolador SMD é um dispositivo de isolamento usado para embalagem e instalação em uma PCB (placa de circuito impressa). Eles são amplamente utilizados em sistemas de comunicação, equipamentos de microondas, equipamentos de rádio e outros campos. Os isoladores SMD são pequenos, leves e fáceis de instalar, tornando-os adequados para aplicações de circuito integrado de alta densidade. O seguinte fornecerá uma introdução detalhada às características e aplicações dos isoladores SMD. Primeiro, os isoladores SMD têm uma ampla gama de recursos de cobertura da banda de frequência. Eles normalmente cobrem uma ampla faixa de frequência, como 400MHz-18GHz, para atender aos requisitos de frequência de diferentes aplicações. Essa extensa capacidade de cobertura da banda de frequência permite que os isoladores de SMD tenham desempenho excelentemente em vários cenários de aplicação.
Freqüência de 200MHz a 15GHz.
Aplicações militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserção, alto isolamento, manuseio de alta potência.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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RFTXX-20RM0904 Resistor de RF
Modelo RFTXX-20RM0904 POWER 20 W resistência xx ω (10 ~ 3000Ω Personalizável) Tolerância de resistência ± 5% Capacitância 1,2 pf@100Ω Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato Substrato BEO Tampa AL2O3 FLANGE DE MONTAGEM +99.99% de resistência a prata (Unidade: mm) O comprimento do fio de chumbo pode atender à tolerância ao tamanho dos requisitos do cliente: 5%, a menos que sugestão de outra forma ... -
Isolador de microStrip
Os isoladores de microftrip são um dispositivo de RF e microondas comumente usado usado para transmissão e isolamento de sinal em circuitos. Ele usa tecnologia de filme fino para criar um circuito em cima de uma ferrita magnética rotativa e, em seguida, adiciona um campo magnético para alcançá -lo. A instalação de isoladores de microfita geralmente adota o método de solda manual de tiras de cobre ou ligação de fio de ouro. A estrutura dos isoladores de microfita é muito simples, em comparação com isoladores coaxiais e incorporados. A diferença mais óbvia é que não há cavidade, e o condutor do isolador da micro -tira é feito usando um processo de filme fino (pulverização a vácuo) para criar o padrão projetado na ferrita rotativa. Após a eletroplicação, o condutor produzido é conectado ao substrato rotativo da ferrita. Prenda uma camada de meio isolante na parte superior do gráfico e corrija um campo magnético no meio. Com uma estrutura tão simples, um isolador de micro -tira foi fabricado.
Faixa de frequência de 2,7 a 43 GHz
Aplicações militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserção, alto isolamento, manuseio de alta potência.
Design personalizado disponível mediante solicitação.
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CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0GHz Baixa intermodulação
Modelo CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Faixa de frequência DC ~ 3,0GHz VSWR 1.20 MAX PIM3 ≥120DBC@2*33DBM Power 50W Impedância perseguir 50 Ω Tipo DIN-M (J) GRADE IP65 DIMENTO DE PODERA 60 × 60MM MEMUSTIMUSTIMUSTURAÇÃO-80MM-temperatura de 80mm-80mm-80mm Tipo de temperatura-Tipo de temperatura de 80 mm de temperatura 80mm-80mm- Use a designação P/N de desvio de poder de atenção -
RFTXX-20RM1304 Resistor de RF
Model RFTXX-20RM1304 Power 20 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 1.2 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Mounting Flange Brass Lead 99.99% pure silver Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Outline Drawing (Unidade: mm) O comprimento do fio de chumbo pode atender à tolerância ao tamanho dos requisitos do cliente: 5%, a menos que sugeris de outra forma ... -
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RFT50-100CT6363 DC ~ 5,0GHz RF Terminar
Model RFT50-100CT6363 Frequency Range DC~5.0GHz Power 100 W Resistance Range 50 Ω Resistance tolerance ±5% VSWR DC~4.0GHz 1.20MaxDC~5.0GHz 1.25Max Temperature coefficient <150ppm/℃ Substrate material BeO Resistance technology Thick Film Operating Temperature -55 to +155°C (See de Power De-rating) Typical Performance: Installation method Power Descrevações de tempo de reflexão e diagrama de temperatura: designação de p/n que precisa de atenção ■ Após o armazenamento p ...
